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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Aluminum Nitride Wafer / Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer /

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer
Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer
  • Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer
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Ra de la aspereza del C-avión (0001) ±1o AIN On Sapphire Wafer Surface<1> Μm AIN On Sapphire Wafer, SSP, XRD FWHM de la película gruesa de 2 pulgadas ...
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