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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Ga2O3 Wafer / Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm /

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

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Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
  • Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
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Ga pulido de un solo lado2O3Espesor del sustrato de cristal único 0,6 ~ 0,8 mm 10x15mm2(010) Ga independiente dopado con Sn2O3Sustrato monocristalino ...
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Substrato cerámico de 96% al2o3 espesor de la chapa de cromo 99.6 sustrato cerámico de alumina

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