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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Ga2O3 Wafer / Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor /

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor
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  • Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor
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GA2O3 solo Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec> 10x15mm2 (- 201) Uid-dopó el solo gruesode pulido cristalino 0.6~0.8m m FWHM...
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