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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Ga2O3 Wafer / Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3 /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3
Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3
  • Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3
Productos detallados
10x10mm2(-201) Sustrato monocristalino de Ga2O3 autónomo dopado con Fe Pulido simple de grado de producto Espesor 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0,3 nm ...
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Etiquetas de productos:
Substrato de fr4 para tablas substrato del bga Substrato de obleas

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