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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Ga2O3 Wafer / JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3 /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
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JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3
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10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo grueso de pulido cristalino libre 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec, resistencia del grado del producto del substrato Ga2O3 ...
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Compuesto para pulir azulejos cerámicos Compuesto de pulido de 3 m con un contenido de nitrógeno en el contenido de nitrógeno en el contenido de nitrógeno

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