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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Sapphire Wafer / Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

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Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm
Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm
  • Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm
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JDCD08-001-001 Oblea de sustrato de zafiro de 50 mm de diámetro, Thk 430 μm, orientación del cristal C/M0.2, OF longitud (mm) 16 LED chip, material de ...
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oblea del zafiro substrato del zafiro Substrato cerámico de 96% al2o3

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