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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Sapphire Wafer / Orientación del cristal C/M0.2 Oblea de zafiro Grosor 440 μm /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Orientación del cristal C/M0.2 Oblea de zafiro Grosor 440 μm
Orientación del cristal C/M0.2 Oblea de zafiro Grosor 440 μm
  • Orientación del cristal C/M0.2 Oblea de zafiro Grosor 440 μm
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Orientación de cristal C/M0.2 Oblea de sustrato de zafiro de 50 mm Grosor de 430 μm JDCD08-001-001 Oblea de sustrato de zafiro de 50 mm de diámetro, ...
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Cristales SMD de 32.768khz unidades del cristal del smd Dispositivos para el control de la velocidad

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