Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Silicon Wafer / Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm /

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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm

Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm
  • Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm
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