Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
Casa / Productos / Silicon Wafer /

Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm

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Lugar del origen :Suzhou China
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :50000pcs/month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Number modelo :JDCD06-001-002
Diámetro :2"
Grado :Primero
Método del crecimiento :CZ
Orientación :<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopante :Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Espesor (μm) :279
Tolerancia del grueso :± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades
resistencia :0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado :P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) :<10μm estándar, Capabilities<5μm máximo
Arco/deformación :<40μm estándar, Capabilities<20μm máximo
Partícula :<10>
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Partícula de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm <10 a 0,5 μm <10 a 0,3 μmetro <10@0.2μmetro

Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 2 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos


Descripción general

Según el nivel de dopaje del silicio, el semiconductor puede considerarse extrínseco o degenerado.Los extrínsecos estarían leve o moderadamente dopados, mientras que los semiconductores degenerados actúan más como conductores debido a los altos niveles de dopaje que se producen durante la fabricación.

Especificación

oblea de silicio

Diámetro

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Calificación Principal
Crecimiento Método CZ
Orientación <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/Dopante Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
Espesor (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Espesor Tolerancia Estándar ± 25 μm, capacidades máximas ± 5 μm
Resistividad 0.001-100 ohm-cm
Superficie Finalizado P/E,P/P,E/E,G/G
TTV (μm) Estándar <10 μm, capacidades máximas <5 μm
Arco/urdimbre Estándar <40 μm, capacidades máximas <20 μm
Partícula <10 a 0,5 μm;<10 a 0,3 μm;<10 a 0,2 μm;

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

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