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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Silicon Wafer / Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada
Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada
  • Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada
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Oblea de silicio de 2 pulgadas de los dispositivos discretos P/E, P/P, E/E, superficial de G/G acabado dispositivos de 2 pulgadas de la oblea de ...
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Substrato de obleas tecnología de obleas de silicio Fabricación de obleas de semiconductores

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