Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Silicon Wafer /

Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

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Lugar del origen :Suzhou China
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :50000pcs/month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Number modelo :JDCD06-001-002
Método del crecimiento :CZ
Diámetro :2"
Grado :Primero
Orientación :<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Espesor (μm) :279
Tolerancia del grueso :± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades
resistencia :0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado :P/E, P/P, E/E, G/G
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Oblea de silicio de 2 pulgadas de los dispositivos discretos P/E, P/P, E/E, superficial de G/G acabado

dispositivos de 2 pulgadas de la oblea de silicio MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos


Descripción

El silicio es el segundo elemento común en la tierra y es el séptimo-más elemento común en el universo entero. Es el semiconductor más común y el más ampliamente utilizado del sector electrónico y de tecnología.

Durante proceso del crecimiento las adiciones intencionales de dopantes se pueden añadir a para cambiar la pureza del silicio dependiendo de cuáles será el propósito de él. Estas impurezas introducidas pueden cambiar las propiedades eléctricas del silicio, que puede ser útil dependiendo para de lo que se está produciendo el silicio en última instancia.

Especificación

oblea de silicio

Diámetro

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grado Primero
Método del crecimiento CZ
Orientación <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopante Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Grueso (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Tolerancia del grueso ± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de Capabilit/IES
Resistencia 0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Estándar <10>
Arco/deformación Estándar <40>
Partícula <10>

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

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