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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Silicon Wafer / Oblea de semiconductor del silicio de la CZ 380um 525um 625um /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Oblea de semiconductor del silicio de la CZ 380um 525um 625um
Oblea de semiconductor del silicio de la CZ 380um 525um 625um
  • Oblea de semiconductor del silicio de la CZ 380um 525um 625um
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Orientación de 2 pulgadas de la oblea de silicio 279 del grueso (μm) <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0> dispositivos de 2 pulgadas de la oblea de silicio MEMS, ...
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Qsfp h40g cu1m especificaciones de las obleas de silicio el silicio 553

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