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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Silicon Wafer / JDCD07-001-002 Wafer epitaxial SOI de 5 pulgadas para el procesamiento de MEMS /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
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País/Región:china
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JDCD07-001-002 Wafer epitaxial SOI de 5 pulgadas para el procesamiento de MEMS
JDCD07-001-002 Wafer epitaxial SOI de 5 pulgadas para el procesamiento de MEMS
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oblea epitaxial de 5-inch SOI para el proceso de MEMS Descripción Las obleas de silicio (oblea del Si) son rebanadas finas de silicio cristalizado ...
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especificaciones de las obleas de silicio plaquetas de silicio de tipo n Wafer de fosfuro de indio

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