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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / S-C-N Conducto Sustratos no dopados de GaAs de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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S-C-N Conducto Sustratos no dopados de GaAs de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones
S-C-N Conducto Sustratos no dopados de GaAs de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones
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SCN Conducto Sustratos no dopados de GaAs (100) de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones Descripción general Con el desarrollo de mini-LED y micro...
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PCB en electrónica substrato del gaas PWB en electrónica

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