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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18 /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18
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oblea sin impurificar 0.4E18~1E18 del GaAs-Si (de 100) substratos de 2inch GaAs Descripción Los radioinstrumentos producidos con los substratos del ...
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Las placas de PCB Philips GC9230 Se muestra en la hoja de datos del ánodo común de 7 segmentos hoja de datos de anodo común de siete segmentos

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