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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs
Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs
  • Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs
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100) substratos sin impurificar de 2inch GaAs ((100) 15°±0.5° de TowardA<111> 100) substratos sin impurificar de 2inch GaAs ( Descripción El GaAs es ...
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