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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm
Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm
  • Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm
Productos detallados
50,8±0,2 mm 2 pulgadas GaAs (100) Sustratos sin dopar 7±1 mm Longitud IF Descripción general Con el desarrollo de mini-LED y micro-LED, los LED de luz ...
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Etiquetas de productos:
especificación del surco del PWB v V PCB de ranura Pcb con ranura

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