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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas
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  • LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas
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Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas Descripción general El arseniuro de galio se utiliza en la fabricación de diodos emisores de luz (LED), ...
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Pcb de led SMD LED de cob Polaridad LED SMD

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