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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / JDCD10-001-003 Substratos dopados con Zn /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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JDCD10-001-003 Substratos dopados con Zn
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  • JDCD10-001-003 Substratos dopados con Zn
Productos detallados
Sustratos dopados con Zn GaAs(100) de 2 pulgadas Descripción general El arseniuro de galio de una oblea de GaAs tiene el atributo de generar luz láser ...
Ver productos detallados →
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Pcb de 5 led con una capacidad de producción de más de 300 kW Sram rojo 22 grupo

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