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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Laser Diode Chip / Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A
Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A
  • Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A
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Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en dise...
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láser por PCB Diodo láser de 1550 nm pdf Impresoras láser de gran formato

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