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Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A
Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje
La fuente de luz se integra mediante la unión de flip-chip directamente sobre el sustrato de Si, lo que permite un funcionamiento a alta temperatura, y se utilizan convertidores de tamaño de punto para un acoplamiento eficiente a la guía de ondas de Si.Se integra una estructura de metal-semiconductor-metal (MSM) de InGaAs/InP mediante técnicas de unión de obleas y se utiliza para la fotodetección, y se demuestra una alta capacidad de respuesta.
Óptico
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Longitud de onda central
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915nm
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Potencia de salida
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10W
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Ancho espectral FWHM
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≤6nm
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Eficiencia de pendiente
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1.0W/A
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Divergencia del eje rápido
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60 grados
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Divergencia del eje lento
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11 grados
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Modo de polarización
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TE
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Tamaño del emisor
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94um
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Eléctrico
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Umbral de corriente
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0.5A
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Corriente de funcionamiento
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12A
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Tensión de funcionamiento
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1,65 V
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Eficiencia de conversión de energía
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58%
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Térmico
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Temperatura de funcionamiento
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15-55 ℃
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Temperatura de almacenamiento
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-30-70 ℃
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Temperatura de longitud de onda.Coeficiente
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0,3 nm/℃
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Preguntas más frecuentes
P1: ¿Qué métodos de pago admite?
T/T y Western Union, para su elección
P2: ¿Cuánto tiempo puedo recibir el paquete?
Normalmente 1-2 semanas FedEx,DHL Express,UPS,TNT
P3: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
Los productos estándar están todos en stock.Envío a través de Express dentro de 3 ~ 4 días hábiles.La pila personalizada necesita 15 días hábiles.
Q4: ¿Es usted una empresa comercial o fabricante?
Somos fabricantes con más de 11 años de experiencia y también brindamos la solución técnica a todos los clientes.
P5: ¿pueden garantizar su calidad?
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