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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Laser Diode Chip / Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje /

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

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Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

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Probador de sensores de efecto Hall

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Oblea del nitruro de aluminio

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Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

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Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje
Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje
  • Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje
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Tamaño del emisor 94mm Diodo láser Chip en submontaje Diseño Umbral Corriente 0.5A Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje ...
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Barras de diodo láser de 808 nm Diodo láser de 980 nm el smd epistar llevó el microprocesador

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