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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / SiC Epitaxial Wafer / borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um
borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um
  • borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um
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JDCD03-001-004 Borde de oblea de oblea epitaxial de SiC que bisela 350,0 μm ± 25,0 μm JDCD03-001-004 Descripción general Actualmente se utilizan ...
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plaquetas de carburo de silicio con una longitud de más de 20 mm structure of silicon carbide

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