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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / SiC Epitaxial Wafer / el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
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JDCD03-001-003 Descripción Sic una oblea es un material del semiconductor que tiene propiedades eléctricas y termales excelentes. Es un semiconductor ...
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dimensiones de los crisol de carburo de silicio sic oblea densidad de carburo de silicio en cerámica

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