Actualmente, hay dos tipos principales sic de obleas. El primer tipo es la oblea pulida, que es un solo disco del carburo de silicio. Se hace sic de cristales de gran pureza, y puede ser 100m m o 150m m en diámetro. Se utiliza en electrónica de alta potencia. El segundo tipo es la oblea cristalina epitaxial del carburo de silicio. Este tipo de oblea es creado añadiendo capas de solos cristales del carburo de silicio a una superficie. Este método requiere el control exacto del grueso del material, y se refiere como n-tipo epitaxia.

Propiedad	Grado P-MOS	Grado de P-SBD	Grado de D
Crystal Form	4H
Polytype	Ningunos permitieron		El Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Placas del hex.	Ningunos permitieron		El Area≤5%
Polycrystal hexagonal	Ningunos permitieron
Inclusiones ^a	El Area≤0.05%	El Area≤0.05%	N/A
Resistencia	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
Falta de amontonamiento	Área del ≤0.5%	Área del ≤1%	N/A
Contaminación de metal superficial	(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) ≤1E11 cm^-2
Diámetro	150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientación superficial	De fuera del eje: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longitud plana primaria	47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Longitud plana secundaria	Ningún plano secundario
Orientación plana primaria	To±1° paralelo<11-20>
Orientación plana secundaria	N/A
Misorientation ortogonal	±5.0°
Final superficial	C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Borde de la oblea	El biselar
Aspereza superficial (el 10μm×10μm)	Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C
Grueso ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10m m) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(ARCO) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Deformación) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Microprocesadores/mellas	Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm		Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro
Rasguños ^a (Cara del Si, CS8520)	≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer		≤5 y Length≤1.5×Wafer acumulativo Diámetro
TUA (2mm*2m m)	el ≥98%	el ≥95%	N/A
Grietas	Ningunos permitieron
Contaminación	Ningunos permitieron
Propiedad	Grado P-MOS	Grado de P-SBD	Grado de D
Exclusión del borde	3m m

Observación: la exclusión del borde de 3m m se utiliza para los artículos marcados con ^{el A.}

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

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Etiquetas de productos:

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

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Oblea sic epitaxial

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Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

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oblea de silicio

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47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

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