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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / SiC Epitaxial Wafer / Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

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Sustratos de diamante CVD

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Sistema de recocido térmico rápido

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Probador de sensores de efecto Hall

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Oblea del nitruro de aluminio

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Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
  • Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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150,0 mm +0 mm/-0,2 mm JDCD03-001-004 Oblea epitaxial de SiC 47,5 mm ± 1,5 mm Descripción general Debido a que el SiC tiene una alta conductividad t...
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sic oblea oblea del arseniuro de galio Wafer de fosfuro de indio

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