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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / SiC Epitaxial Wafer / 0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
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0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm
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0.015Ω•cm-0.025Ω•C-cara sic epitaxial de la oblea del cm: Polaco óptico, CMP de la Si-cara Descripción Sic una oblea es un material del semiconductor ...
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¿Se puede grabar el vidrio templado? especificación dura de la galjanoplastia de cromo Zro2 si3n4 de cerámica completa

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