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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / SiC Epitaxial Wafer / 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
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150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Sic Oblea epitaxial Fuera del eje: 4 ° Hacia <11-20> ± 0,5 ° JDCD03-001-004 Descripción general Una oblea de SiC es un ...
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Etiquetas de productos:
densidad de carburo de silicio en cerámica oblea del arseniuro de galio dimensiones de los crisol de carburo de silicio

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