Sic nivel P de 2 pulgadas los 4H-N/SI260μm±25μm del substrato JDCD03-001-001<0001> para los dispositivos de poder y los dispositivos de la microonda ...

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divisor de poder de la microonda diseño del amplificador de potencia de microondas combinador de energía de microondas

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Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder