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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / SiC Epitaxial Wafer / Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
  • Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
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Sustrato 4H-SiC de 6 pulgadas Tipo N P-SBD Grado 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2Resistividad 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm para potencia y microondas Sustrato tipo N ...
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Etiquetas de productos:
Fr 4 sustrato Substrato de fr4 Profile de aluminio con ranura en t

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