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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI /

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Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
  • el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
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la C-cara 2inch FE-dopó el SI-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN > 106 Ω·radioinstrumentos del cm Las características del ...
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