Productos proveedores Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Plataforma de contratación única profesional de la industria de semiconductores, para proporcionarle una calidad superior y una diversidad de productos y servicios técnicos

Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas /

show pictures

Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
Contacta
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
Ver detalles de contacto
Contacta

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas
Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas
  • Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas
Productos detallados
Sustrato monocristalino de GaN autónomo de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 106Dispositivos RF de Ω·cm Para reducir el ...
Ver productos detallados →
Etiquetas de productos:
Substrato de fr4 para tablas substrato del gaas con base de aluminio

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4