Para reducir el portador de captura de Fe y las resistencias de lámina del gas de electrones bidimensionales generados a partir de la interfaz de AlGaN y GaN, también se optimizó la relación de espesor de las bi-epilapas de GaN dopadas con Fe y sin dopar.Se han desarrollado con éxito transistores de alta movilidad de electrones de AlGaN/GaN con la concentración de dopaje óptima de GaN dopado con Fe y el espesor adecuado de GaN no dopado.

2 pulgadasDe pieSI-GaN Ssustratos
	miexcelentenivel (S)		Nivel de producción (A)		Nivel de investigación (B)		Nivel ficticio (C)	Nota: (1) Área utilizable: exclusión de defectos de borde y macro (2) 3 puntos: los ángulos de corte incorrecto de las posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0,15^o
	S-1	S-2	A-1	A-2
Dimensión	50,8 ± 1 mm
Espesor	350 ± 25micras
Orientación plana	(1-100) ± 0,5^o, 16 ± 1 mm
Piso orientación secundaria	(11-20) ± 3^o, 8 ± 1 mm
Resistividad (300K)	> 1x10⁶Ω·cm para semiaislante (dopado con Fe; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV	≤ 15 micras
ARCO	≤ 20 micras					≤ 40 micras
Rugosidad de la superficie de la cara Ga	< 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
N rugosidad de la superficie de la cara	0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Paquete	Empaquetado en una sala limpia en un solo contenedor de obleas
Área utilizable	> 90%				>80%		>70%
Dislocacióndensidad	<9.9x10⁵cm^-2	<3x10⁶cm^-2	<9.9x10⁵cm^-2	<3x10⁶cm^-2	<3x10⁶cm^-2
Orientación: plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M	0,35 ± 0,15^o (3 puntos)		0,35 ± 0,15^o (3 puntos)		0,35 ± 0,15^o (3 puntos)
Densidad de macrodefecto (agujero)	0cm^-2		<0,3 cm^-2		< 1cm^-2
Tamaño máximo de macrodefectos			< 700 micras		< 2000 micras		< 4000 micras

* Normas nacionales de China (GB/T32282-2015)

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

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