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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas /

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Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
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País/Región:china
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oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas
oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas
  • oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas
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± 50,8 1 milímetro de U-GaN/SI-GaN de ± libre de 2 pulgadas 0,5o, de los substratos (1-100) ± 16 1 milímetro n-tipo sin impurificar sola resistencia ...
Ver productos detallados →
Etiquetas de productos:
plaquetas de nitruro de galio oblea del arseniuro de galio placa de PCB de aluminio calc

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