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5x10mm2Sustratos independientes de GaN 350 ±25 µm Desde 1 x 105a 3 x 106cm-2
5*10mm2SP-face (20-21)/(20-2-1) Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI no dopado Resistividad > 106Oblea de dispositivos RF de Ω·cm
Descripción general
Hay tres sustratos principales que se utilizan con GaN: carburo de silicio (SiC), silicio (Si) y diamante.GaN en SiC es el más común de los tres y se ha utilizado en varias aplicaciones militares y para aplicaciones de infraestructura inalámbrica de alta potencia.GaN on Si es un sustrato más nuevo cuyo rendimiento no es tan bueno como el SiC pero es más económico.GaN on Diamond es el de mejor desempeño, sin embargo, dado que es nuevo y relativamente costoso, las aplicaciones en las que se ha utilizado son limitadas.Hemos comparado los tres sustratos de GaN en la siguiente tabla.
| (20-21)/(20-2-1) Face Free-calleaDakota del Norteinortegramo GRAMOanorte Subcallereal academia de bellas artestmis | ||||
| Artículo |
GaN-FS-SP-US |
GaN-FS-SP-NS |
GaN-FS-SP-SI-S |
Observaciones: Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la superficie delantera y la trasera. |
| Dimensiones | 5x10mm2 | |||
| Espesor | 350 ±25 micras | |||
| Orientación |
(20-21)/(20-2- 1) plano fuera de ángulo hacia el eje A 0 ±0,5° (20-21)/(20-2- 1) plano fuera del ángulo hacia el eje C - 1 ±0,2° |
|||
| Tipo de conducción | tipo N | tipo N | Semiaislante | |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 micras | |||
| ARCO | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Rugosidad de la superficie frontal |
< 0,2 nm (pulido); o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) |
|||
| Rugosidad de la superficie trasera |
0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) |
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| Densidad de dislocación | Desde 1x105a 3 x 106cm-2 | |||
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 | |||
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto
Si δ1= 0 ±0,5°, entonces (20-21)/(20-2- 1) el ángulo de desviación del plano hacia el eje A es 0 ±0,5°.
Si δ2= - 1 ±0,2°, entonces (20-21)/(20-2- 1) el ángulo de desviación del plano hacia el eje C es - 1 ±0,2°.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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