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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
  • Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
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5*10,5mm2Espesor de sustratos de GaN independientes de cara M 350 ±25 µm 5*10,5mm2Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI sin dopar de ...
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Etiquetas de productos:
plaquetas de nitruro de galio oblea del arseniuro de galio de circuitos electrónicos

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