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zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

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zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

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Canal de vídeo
Number modelo :JDWY03-001-031
Lugar del origen :Suzhou China
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000pcs/Month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Nombre de producto :azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED
Grueso :650 ± los 25μm
Tipo :Zafiro plano
Polaco :Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)
Dimensión :100 ± 0.2m m
Orientación :Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,2 ± 0.1°
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azul del GaN-En-zafiro 4inch/± plano del zafiro 100 de la oblea verde del LED 0,2 milímetros

oblea epitaxial azul de 4 pulgadas LED GaN en el zafiro SSP



El ingrediente dominante para el LED azul es nitruro del galio, un material robusto con una separación grande de la energía, o ‘hueco’, entre los electrones y los agujeros -- este hueco es crucial en la adaptación de la energía de los fotones emitidos para producir la luz azul.
Los diodos electroluminosos (LED) fabricaron del nitruro del galio (GaN) han llevado a la realización de la iluminación de estado sólido blanca de gran eficacia.

Otro problema grave en producir el LED azul era la dificultad en GaN de p-doping con la precisión. A finales de los años 1980, Amano y Akasaki descubrieron que cuando GaN fue dopado con los átomos del cinc, él emitieron más luz y éste dio así un mejor p-doping. Este los fenómenos fueron explicados más adelante en un artículo por Nakamura.

azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Substrato

Tipo Zafiro plano

zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

Polaco Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)
Dimensión ± 100 0,2 milímetros
Orientación Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,2 ± 0.1°
Grueso 650 μm del ± 25

Epilayer

Estructura uGaN de los 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm
Grueso 5,5 ± los 0.5μm
Aspereza (Ra) <0>
Densidad de dislocación < 5="">8 cm2s
Longitud de onda LED azul LED verde
465 ± 10 nanómetro 525 ± 10 nanómetro
Longitud de onda FWHMs < 25="" nm=""> < 40="" nm="">
Chip Performance Corte-en el μA de voltage@1 2.3-2.5V 2.2-2.4V
Área usable > el 90% (borde y exclusión macra de los defectos)

Paquete

Empaquetado en un recinto limpio en un solo envase de la oblea

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

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