Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um /

show pictures

Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea Epi GaAs

Sustratos de diamante CVD

Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

Oblea del nitruro de aluminio

Microprocesador del diodo láser

Cristal del carburo de silicio

Oblea Ga2O3

oblea de silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Tenedor de la oblea del

Cortadora de obleas

Contacta

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ciudad:shanghai

Provincia / Estado:shanghai

País/Región:china

Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)

Ver detalles de contacto

Contacta

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

Productos detallados

Sustratos de N-GaN independientes de 2 pulgadas Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 ~ 1,5 μm (pulido en un solo lado) Sustrato monocristalino ...

Ver productos detallados →

Etiquetas de productos:

grabado de PCB de doble cara con un contenido de aluminio superior a 10% n5 surface finish

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4