Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer /

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

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Number modelo :JDCD01-001-020
Lugar del origen :Suzhou China
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000pcs/Month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Nombre de producto :substratos libres de 2 pulgadas de N-GaN
Dimensiones :50,0 ±0.3mm
Artículo :GaN-FS-C-N-C50-SSP
Grueso :400 ± los 30μm
Aspereza de superficie de la cara de N :0,5 ~1.5μm (solo lado pulido)
Plano de la orientación :(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1m m
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Sustratos de N-GaN independientes de 2 pulgadas Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 ~ 1,5 μm (pulido en un solo lado)

Sustrato monocristalino de GaN autónomo de tipo n dopado con Si y cara C de 2 pulgadas Resistividad < 0,05 Ω·cm Dispositivo de potencia/oblea láser


Descripción general
Estas obleas de GaN crean diodos láser ultrabrillantes sin precedentes y dispositivos de energía de alta eficiencia para usar en fuentes de luz de proyectores, inversores para vehículos eléctricos y otras aplicaciones.
El nitruro de galio también se puede sintetizar inyectando gas amoníaco en galio fundido a 900-980 °C a presión atmosférica normal.

Sustratos independientes de N-GaN de 2 pulgadas

Nivel de producción (PAG)

Rmisoídoh(R)

Ficticio(D)

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

Nota:

(1) 5 puntos: los ángulos de corte incorrecto de 5 posiciones son 0,55 ± 0,15o

(2) 3 puntos: los ángulos de corte incorrecto de las posiciones (2, 4, 5) son 0,55 ± 0,15o

(3) Área utilizable: exclusión de defectos periféricos y macro (agujeros)

P+ PAG PAG-
Artículo GaN-FS-CN-C50-SSP
Dimensiones 50,0 ±0,3 mm
Espesor 400 ± 30 micras
Orientación plana (1- 100) ±0,1o,12,5 ± 1 mm
TTV ≤ 15 micras
ARCO ≤ 20 micras
Resistividad (300K) ≤ 0,02 Ω·cm para tipo N (dopado con Si)
Rugosidad de la superficie de la cara Ga ≤ 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
N rugosidad de la superficie de la cara 0,5 ~1,5 μm (pulido por un lado)
Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M (ángulos mal cortados)

0,55 ± 0,1o

(5 puntos)

0,55± 0,15o

(5 puntos)

0,55 ± 0,15o

(3 puntos)

Densidad de dislocaciones de roscado ≤ 7,5x105cm-2 ≤ 3x106cm-2
Número y tamaño máximo de agujeros en Ф47 mm en el centro 0 ≤ 3 a 1000 micras ≤ 12 a 1500 micras ≤ 20 a 3000 micras
Área utilizable > 90% >80% >70%
Paquete Empaquetado en una sala limpia en un solo contenedor de obleas

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

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