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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar /

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Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar
Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar
  • Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar
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Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo n sin dopar de cara A de 5*10,5 mm2 Resistividad < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentación/oblea l...
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con base de aluminio con MCPCB Pcb cerámico vs fr4

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