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Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

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Number modelo :JDCD01-001-005
Lugar del origen :Suzhou China
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000pcs/Month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Nombre de producto :Solo substrato cristalino de GaN
Dimensiones :² de 5 x de 10m m
Grueso :350 ±25µm
Orientación :Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° A (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0
TTV :≤ el 10µm
Arco :- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
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Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo n sin dopar de cara A de 5*10,5 mm2 Resistividad < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentación/oblea láser


Descripción general

La densidad de potencia mejora considerablemente en los dispositivos de nitruro de galio en comparación con los de silicio porque GaN tiene la capacidad de soportar frecuencias de conmutación mucho más altas.También tiene una mayor capacidad para soportar temperaturas elevadas.

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Artículo GaN-FS-AUS GaN-FS-ANS GaN-FS-A-SI-S

Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

Observaciones:

Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la superficie delantera y la trasera.

Dimensiones 5x10mm2
Espesor 350 ±25 micras
Orientación

Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje M 0 ±0,5°

Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje C - 1 ±0,2°

Tipo de conducción tipo N tipo N Semiaislante
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie frontal

< 0,2 nm (pulido);

o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

Rugosidad de la superficie trasera

0,5 ~ 1,5 micras

opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)

Densidad de dislocación Desde 1x105a 3 x 106cm-2
Densidad de macrodefectos 0cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto

Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

Si δ1= 0 ±0,5°, entonces el plano A (11-20) fuera del ángulo hacia el eje M es 0 ±0,5°.

Si δ2= - 1 ±0,2°, entonces el plano A (11-20) fuera del ángulo hacia el eje C es - 1 ±0,2°.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

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