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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / 10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm /

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Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
  • 10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Productos detallados
10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser Aplicaciones ...
Ver productos detallados →
Etiquetas de productos:
¿Qué es eso? Pcb de conducción por inmersión pantalla de led SMD p3mm

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