Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer /

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

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Lugar del origen :Suzhou China
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000pcs/Month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Number modelo :JDCD01-001-001
Nombre de producto :GaN Epitaxial Wafer
Dimensiones :10x10,5 mm²
Grueso :350 ±25µm
Orientación :Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
TTV :≤ el 10µm
Arco :- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
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10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser

Aplicaciones

Diodos láser: LD violeta, LD azul y LD verde
Dispositivos electrónicos de potencia, Dispositivos electrónicos de alta frecuencia

Más de 10 años de experiencia en tecnología de fabricación de obleas con sustratos de GaAs se han aplicado a la producción de sustratos de GaN.El sustrato de GaN tiene una orientación superficial controlada, libre de daños, muy plana (Rms < 0,2 nm), y superficies de pasos atómicos controlados.Se ha logrado una calidad superficial adecuada para el crecimiento epitaxial.

Sustratos de GaN independientes de 10 x 10,5 mm2
Artículo GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Observaciones:
Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la cara Ga y N.

Dimensiones 10x10,5mm2
Espesor 350 ±25 micras
Orientación Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Tipo de conducción tipo N tipo N Semiaislante
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
Arco - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga < 0,2 nm (pulido)
o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 ~ 1,5 micras
opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Densidad de dislocación Desde 1x105a 3 x 106cm-2(calculado por CL)*
Densidad de macrodefectos 0cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

*Estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

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