Name: Densidad de defecto macro 0cm2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 510mm2 Cara M
Price: 1 USD

GaN Epitaxial Wafer

[68]

Oblea sic epitaxial

[33]

Oblea Epi GaAs

[15]

Sustratos de diamante CVD

[15]

Sistema de recocido térmico rápido

[2]

Probador de sensores de efecto Hall

[3]

Oblea del nitruro de aluminio

[21]

Microprocesador del diodo láser

[10]

Cristal del carburo de silicio

[12]

Oblea Ga2O3

[13]

oblea de silicio

[26]

Sapphire Wafer

[19]

Sapphire Substrates modelada

[10]

Tenedor de la oblea del

[1]

Cortadora de obleas

[5]

show pictures

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea Epi GaAs

Sustratos de diamante CVD

Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

Oblea del nitruro de aluminio

Microprocesador del diodo láser

Cristal del carburo de silicio

Oblea Ga2O3

oblea de silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Tenedor de la oblea del

Cortadora de obleas

Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M