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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
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µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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la C-cara 10*10.5mm2 Si-dopó el n-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN < 0=""> Descripción El substrato del nitruro del galio ...
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Etiquetas de productos:
substrato del bga Fr4 pcb 0 4 mm

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