China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.

Marca profesional de chips de almacenamiento doméstica dedicada a convertirse en pionera en la fabricación de almacenamiento

Manufacturer from China
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GEN4 M.2 PCIE4.0 SSD 2280 2230 2242 Para computadoras portátiles y escritorios Discos duros Partes de computadoras

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China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
País/Región:china
Persona de contacto:MsSunny Wu
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GEN4 M.2 PCIE4.0 SSD 2280 2230 2242 Para computadoras portátiles y escritorios Discos duros Partes de computadoras

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Lugar de origen :China.
Condiciones de pago :L/C, T/T
Capacidad de suministro :100 mil al mes.
Tiempo de entrega :10 a 15 días
Capacidad :512 GB a 4 TB
Interfaz :- ¿ Por qué?2
Acuerdo :Es el NVMe1.4
Velocidad leída :6500 MB/s
Escriba la velocidad :6 000 MB/s
Temperatura de funcionamiento :-40 °C a 85 °C
Cantidad mínima de pedido :50 PCS
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PCIE4.0 GEN4 M.2 2280 2230 2242 para computadoras portátiles y escritorios Discos duros de computadoras Partes SSD
 
M.2 2280 NVMe PCIe4.0 SSD. Aproveche la interfaz PCIe4.0 para velocidades de transferencia de datos excepcionales. Eleve los estándares de rendimiento, ofreciendo acceso a datos rápidos como el rayo
 

PG M.2 PCIe 4.0 2280 SSD utilizando el controlador principal del mercado y la partícula Sk hynix 3D V7, de acuerdo con el diseño de apariencia estándar M.2 2280, soporta los protocolos PCIe 4.0 y NVMe 1.4,y tiene un rendimiento excelente.

PG M.2 PCIE 2280 SSD hasta velocidad de 7200MB/S,con una capacidad máxima de hasta 2TB, SSD no sólo puede acortar el tiempo de arranque del sistema operativo en comparación con HDD,pero también aumentar la velocidad del software, haciendo más fluidos los dispositivos personales.

                              GEN4 M.2 PCIE4.0 SSD 2280 2230 2242 Para computadoras portátiles y escritorios Discos duros Partes de computadoras
 

 Capacidad:

  • 512 GB/1 TB/2 TB

 

Técnica de gestión de flash:

  • Apoyar las tecnologías de equilibrio del desgaste estático y dinámico
  • Tecnología de gestión de bloques defectuosa
  • Técnica de instrucción TRIM
  • Técnica SMART
  • Ajuste de la OP de apoyo
  • Protección contra interrupciones de apoyo

Interfaz:

  • Interfaz M.2
  • Apoyo a la PCIe 4.0Acuerdo NVMe 1.4
En funcionamientoRango de temperatura
  • Temperatura de funcionamiento: 0°C ~ 70°C
  • Temperatura de almacenamiento: -25°C ~ 85°C

El flash

  • SK HYNIX 3D TLC
  • BGA 132 NAND FLASH y otros

 

El número de unidades

  • > 2,000,000 horas

     

Performance de lectura y escritura

  • Lectura máxima: 7200MB/S
  • Máximo de escritura:6700MB/S

     Protección de apagado: apoyo- ¿ Qué?

     

Consumo de energía

  • Potencia máxima de lectura: < 3,7 W
  • Potencia máxima de escritura: < 4,2 W

     Tiempo de garantía: 3 años

 
 

 

¿Por qué elegirnos a nosotros?
1- Fuerte fuerza de investigación y desarrollo
2Nuestra fábrica tiene tecnología avanzada de envasado y pruebas.
3Línea de producción completa de productos de almacenamiento
4Operando nuestra propia marca PG se centra en el campo de los semiconductores de almacenamiento
5Poseer múltiples patentes de derechos de autor
6- Alta rentabilidad y competitividad
Carro de la investigación 0