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Electrónica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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IRF1407 75V HEXFET de potencia de canal N único en un paquete TO-220AB

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Chip CI electrónico

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Microprocesador de FPGA

 [31]

Microprocesador del microcontrolador

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Módulo de la exhibición del LCD

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Ventilador de la CA DC

 [21]

Módulo del transistor de IGBT

 [14]

Empalmes eléctricos circulares

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Módulo inalámbrico del RF

 [20]

Sensor del circuito integrado

 [6]

Cordón de la corriente continua de la CA

 [12]
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrTony Zhang
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China IRF1407 75V HEXFET de potencia de canal N único en un paquete TO-220AB wholesale
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IRF1407 75V HEXFET de potencia de canal N único en un paquete TO-220AB
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Number modelo :IRF1407
Lugar del origen :Guangdong, China
Detalles de empaquetado :Cartón estándar
Cantidad mínima de pedido :1
Tipo :MOSFET
Tipo del paquete :En el agujero
Uso :Fuente de alimentación
Temperatura de funcionamiento :-45 a +125
Paquete/caso :TO-220AB
Tipo del FET :Canal N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :75V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :130,0 A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :7,8 mOhms
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3,0 V 2,0 V 4,0 V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :160,0 nC
Las existencias :En stock
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IRF1407 75V MOSFET de potencia HEXFET de canal N único en un paquete TO-220AB

 

Características:

  • Estructura de células planas para SOA ancho
  • Optimizado para una mayor disponibilidad de los socios de distribución
  • Calificación del producto según la norma JEDEC
  • Silicio optimizado para aplicaciones con conmutación inferior a 100 kHz
  • Paquete de alimentación a través del agujero estándar de la industria
  • Paquete de capacidad de carga de alta corriente (hasta 195 A, dependiente del tamaño de la matriz)
  • Las demás máquinas y aparatos para la fabricación de papel

 

Parámetros

IRF 1407

ID (@25°C) máximo

130.0 A

El montaje

El THT

Ptot máximo

330.0 W

Paquete

En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones

Polaridad

No

QG (tipo @10V)

160.0 nC

Qgd

54.0 nC

RDS (encendido) (@10V) máximo

7.8 mOhms

RthJC máximo

0.45 K/W

Tj máximo

175.0 °C

VDS máximo

75.0 V

VGS ((h) min máximo

3.0 V 2.0 V 4.0 V

VGS máximo

20.0 V

 

 

Etiquetas de productos:

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