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Electrónica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrTony Zhang

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China microprocesador del reemplazo del CANAL N 60V 115mA del MOSFET de 2N7002 2N7002-7-F wholesale

microprocesador del reemplazo del CANAL N 60V 115mA del MOSFET de 2N7002 2N7002-7-F

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Number modelo :2N7002

Lugar del origen :Guangdong, China

Detalles de empaquetado :Cartón estándar

Cantidad mínima de pedido :1

Tipo del paquete :Soporte superficial

MARCA :MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaje del tipo :Soporte superficial

Paquete/caso :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tipo del FET :Canal N

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :60V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :115mA (TA)

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :7.5Ohm @ 500mA, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 250uA

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :50pF @ 25V

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :5V, 10V

Vgs (máximo) :±20V

Las existencias :En stock

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Actualice su Hashboard con MOSFET 2N7002

MOSFET económico de energía de SMD para el funcionamiento mejorado de Hashboard

Mejore el funcionamiento de su Hashboard con el MOSFET 2N7002, diseñado especialmente para aumentar la función de los usos 3.3V. Con una puerta baja al voltaje del umbral de la fuente de 2.1V, este MOSFET es perfecto para los usos de la gestión del poder, permitiéndole guardar el cambiar de punto bajo del uso del alto y de la energía del funcionamiento. Su resistencia baja del en-estado se asegura de que siga siendo económica de energía mientras que está prendido.

El más, su versión de SMD es increíblemente conveniente para los pequeños usos, con el potencial para aguantar la corriente continua 200mA y los picos 1A con el umbral máximo del voltaje. ¿Tan por qué espera? ¡Actualice su Hashboard hoy y eleve su experiencia minera con el MOSFET 2N7002!

Categoría de producto	MOSFET
Tecnología	Si
Montaje de estilo	SMD/SMT
Paquete/caso	SOT-23-3
Polaridad del transistor	Canal N
Número de canales	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente	60 V
Identificación - corriente continua del dren	115 mA
Rds en - resistencia de la Dren-fuente	1,2 ohmios
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente	1 V
Qg - carga de la puerta	-
Temperatura de funcionamiento mínima	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo	+ 150 C
Paladio - disipación de poder	200 mW
Modo del canal	Aumento
Configuración	Solo
Altura	1,2 milímetros
Longitud	2,9 milímetros
Producto	Pequeña señal del MOSFET
Serie	2N7002
Tipo del transistor	1 canal N
Anchura	1,3 milímetros
Transconductancia delantera - minuto	0,08 S
Tipo de producto	MOSFET
Parte # alias	2N7002_NL
Peso de unidad	0,000282 onzas

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