Compra HGTG11N120CND: La última solución para la transferencia de alta potencia

Pros - y - contra de HGTG11N120CND: ¿Es digno de la inversión?

¿Usted está buscando una solución que cambia de alta potencia confiable? Parezca no más futuro que HGTG11N120CND. Este dispositivo se diseña para manejar las cargas de alto voltaje y actuales, haciéndole a un favorito entre entusiastas y expertos electrónicos.

Pros:

- Capacidades de dirección de alto voltaje y actuales

- Velocidad que cambia rápida para el rendimiento óptimo

- Voltaje de saturación bajo del colector-a-emisor para el rendimiento energético

- Diseño robusto y durable para la vida útil extendida - compatible con una variedad de usos electrónicos

Contra:

- Relativamente costoso comparado a algunas otras opciones que cambian de alta potencia

- Puede requerir conocimiento técnico avanzado instalar y actuar correctamente

Total, HGTG11N120CND representa una inversión sólida para ésos necesitando un dispositivo que cambia de alta potencia confiable. Con excelente rendimiento y rendimiento energético, este dispositivo está seguro de entregar resultados. Sin embargo, es importante observar que su punto de precio y requisitos técnicos pueden no ser ideales para todos los usuarios.

Detalles técnicos:

• Fabricante: onsemi
• Categoría de producto: Transistores de IGBT
• RoHS: Detalles
• Tecnología: Si
• Paquete/caso: TO-247-3
• Montaje de estilo: A través del agujero
• Configuración: Solo
• Voltaje VCEO del emisor del colector máximo: 1,2 kilovoltios
• Voltaje de saturación del Colector-emisor: 2,1 V
• Voltaje máximo del emisor de la puerta: - 20 V, + 20 V
• Corriente de colector continua en 25 C: 43 A
• Paladio - disipación de poder 298 W
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
• Serie: HGTG11N120CND
• Empaquetado: Tubo
• Marca: onsemi/Fairchild
• Colector continuo
• Actual: 55 A
• Corriente de colector continua Ic máxima: 43 A
• Corriente de la salida del Puerta-emisor: +/- nA 250
• Altura: 20,82 milímetros
• Longitud: 15,87 milímetros
• Tipo de producto: Transistores de IGBT
• Subcategoría: IGBTs
• Anchura: 4,82 milímetros
• Parte # alias: HGTG11N120CND_NL
• Peso de unidad: 6.390 g