El FQP8N60C es un MOSFET de alto rendimiento que entrega poder y el funcionamiento incomparables para una amplia gama de usos electrónicos. Con su punto bajo EN resistencia y capacidad de gran intensidad, este MOSFET se diseña para manejar incluso los requisitos de alimentación más exigentes. En el corazón del FQP8N60C es un diseño único que maximiza eficacia y minimiza la conducción y pérdidas que cambian. Esto traduce a funcionamiento mejorado y a una operación más confiable, incluso bajo condiciones extremas.

Ofreciendo una construcción robusta y materiales de alta calidad, este MOSFET se construye para durar y para soportar ambientes duros. Con su rendimiento excepcional, el FQP8N60C es ir-a la opción para los diseñadores y los ingenieros que miran para optimizar sus sistemas electrónicos. Tan si usted está buscando un MOSFET de alto rendimiento que entregue poder y funcionamiento incomparables, parezca no más futuro que el FQP8N60C.

Total, la descripción de producto se centra en el de alto rendimiento y la confiabilidad de FQP8N60C. Un jefe claro y sucinto atraerá la atención de clientes potenciales y hará que el producto se destaca.

Tecnología: Si
Montaje de estilo: A través del agujero
Paquete/caso: TO-220-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 600 V
Identificación - corriente continua del dren: 7,5 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 1,2 ohmios
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 30 V, + 30 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 4 V
Qg - carga de la puerta: 28 nC
Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
Paladio - disipación de poder: 147 W
Modo del canal: Aumento
Serie: FQP8N60C
Empaquetado: Tubo
Marca: onsemi/Fairchild
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 64,5 ns
Transconductancia delantera - minuto: 8,7 S
Altura: 16,3 milímetros
Longitud: 10,67 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 60,5 ns

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